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論文

AFM observation of nanosized SiC dots prepared by ion beam deposition

Xu, Y.; 鳴海 一雅; 宮下 喜好*; 楢本 洋

Surface and Interface Analysis, 35(1), p.99 - 103, 2003/01

https://doi.org/10.1002/sia.1502
 被引用回数：9 パーセンタイル：25.19(Chemistry, Physical)

イオンビーム蒸着法により、高温でSi基板上に形成したナノサイズのSiCドットの原子間力顕微鏡観察に関する報告である。100eVの$$^{12}$$C$$^{+}$$をSi(111)基板上に、摂氏800-950度で蒸着して、AFMによる形態観察及びXPSによる結合状態の確認を行った。その結果、Siのステップに沿って、30nm程度のSiCドットが形成されることを明らかにした。さらに、摂氏850度以下の温度領域では、SiCドットは、ステップに沿って規則的に配列する自己組織化現象も観察された。シンポジウムでは、これらのことを中心に講演する。

論文

Formation of promising Co-C nanocompositions

Lavrentiev, V.; 阿部 弘亨; 山本 春也; 楢本 洋; 鳴海 一雅

Surface and Interface Analysis, 35(1), p.36 - 39, 2003/01

https://doi.org/10.1002/sia.1489
 被引用回数：8 パーセンタイル：22.7(Chemistry, Physical)

反応性の低いCoとC$$_{60}$$よりなる混合物の薄膜を、同時蒸着法により作製して、その微細構造の評価を、電子顕微鏡,ラマン分光及び原子間力顕微鏡などで行った結果について報告する。CoとC$$_{60}$$は、ナノスペース特有のCoの凝集過程とC$$_{60}$$の同素体変換過程を経て、炭素同素体で被覆されたCoナノ粒子よりなる、複合物質を形成する。特にその構造特性は、熱処理後に顕著になり、ナノCo結晶粒子に整合したナノダイアモンドの成長と、単一壁炭素ナノチューブの形成がその典型となる。会議では、上記結論に至る、微細構造解析の結果について、発表する。

論文

Influence of O$$_{2}$$ incident energy for initial sticking probability and product SiO desorption rate on Si(001) surfaces

寺岡 有殿; 吉越 章隆

Proceedings of 3rd International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '01 (ALC '01), p.341 - 344, 2001/11

Si(001)表面とO$$_{2}$$分子の表面反応においては、室温でO$$_{2}$$分子の解離吸着が起こり表面が酸化される(パッシブ酸化)。一方、表面温度がおおむね700$$^{circ}C$$以上では酸化反応生成物としてSiO分子が熱脱離して表面に酸素は残らない。今回はO$$_{2}$$分子の初期吸着確率の入射エネルギー依存性とSiO脱離速度の入射エネルギー及び表面温度依存性を測定した。前者は酸素カバレッジのup-take曲線の一次微分から求めた。後者の実験には同位体$$^{18}$$O$$_{2}$$を用いてSi$$^{18}$$O(m/e=46)を検出することによりCO$$_{2}$$バックグラウンドの影響のない高精度の測定ができた。これらにより初期吸着確率が0.3eVに極小点を持つことやSiO生成温度の下限が入射エネルギーに依存するなどの新しい知見を得た。初期吸着には前駆体経由過程と直接解離過程があることが見いだされた。

論文

SPM investigation of C$$_{60}$$ thin films irradiated with energetic ions

鳴海 一雅; 楢本 洋

Proceedings of 3rd International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '01 (ALC '01), p.322 - 325, 2001/11

Si(111)上のC$$_{60}$$ 薄膜に対して、360 keV $$^{40}$$Ar$$^{+}$$,$$^{40}$$Ar$$^{4+}$$イオンを1.0$$times$$10$$^{12}$$/cm$$^{2}$$から1.1$$times$$10$$^{16}$$/cm$$^{2}$$照射した際の照射効果を調べた。照射前の薄膜は絶縁性を示したが、1.1$$times$$10$$^{14}$$/cm$$^{2}$$の照射量で電気伝導性を示すようになった。ラマン分光分析によるとこの時の薄膜はほとんど非晶質炭素になっており、この電気伝導性は、C$$_{60}$$分子の分解によって生じた伝導性を持った炭素同位体によって生じたことを明らかにした。1.1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$以上の照射量では、ラマンスペクトル中のC$$_{60}$$分子の特徴は完全に消失し、薄膜の表面形態に著しい変化が観測された。この形態の変化はArイオンによるスパッタリングとC$$_{60}$$分子の分解による高密度化によるものと考えられる。

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